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IGBT的种类有哪些？
绝缘栅双较晶体AD795JR管根据其结构主要分为N沟道IGBT和P沟道IGBT管两大类。
IGBT的开关损耗与MOSFET相比有什么不同？
开关损耗主要包括关断时的损耗（关断损耗）和开通时的损耗（开通损耗）。在常温下，IGBT和MOSFET的关断损耗差不多。IGBT开通损耗的平均值比MOSFET咯小。MOSFET的开通损耗与温度关系不大，而对于IGBT，温度每增加100℃，损耗增加2倍。两种器件的开关损耗与电流相关，电流越大，损耗越高。
IGBT的本土市场机遇
什么是IGBT呢？IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor 的缩写，即绝缘栅双较型晶体管，是国际上公认的电力电子技术*三次革命具代表性的产品，是工业控制及自动化领域能源变换和传输的核心元器件。简单来说，IGBT可以理解为“非通即断”的开关，它可以将直流电压逆变成频率可调的交流电，主要用于变频逆变和其他逆变电路，被称为是电力电子装置的“CPU”。
所谓IGBT(绝缘栅双较型晶体管），是由 BJT(双较结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。
回收英飞凌IGBT：英飞凌IGBT具有过流、欠压保护功能，能对IGBT模块提供及时保护。实验，该驱动方法具有较高的稳定性和良好的保护功能，英飞凌模块应用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域 IGBT是强电流、高压应用。
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